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| 我国多晶硅行业技术装备取得巨大进步 |
| 加入时间：2011-11-24 来源：国际能源 |
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最近几年来，我国多晶硅技术装备取得了较大的突破，我国多晶硅行业技术装备取得的进步主要有以下几个方面：
其一是改良西门子法多晶硅工艺设备实现了自主设计制造。目前，我国自主设计制造的SiHCl3合成炉单台设备年产量达5000吨；可自主设计制造高效大型SiHCl3精馏塔；自主设计制造工作压力0.6MPa12对棒、24对棒还原炉及其相应的电气系统；自主设计制造24对加热器的SiC14热氢化炉，并已实现在生产中的应用；此外，我国独立自主开发的SiHCl3氢还原尾气变压吸附回收系统也已在生产中试用。
其二是工艺装置除采用高效精馏塔精馏提纯外，引进了湿氮除硼技术设备，提纯工艺不再是单纯的精馏工艺。过去在提纯工艺中着重于除硼化物、磷化物和金属化合物，而今还对除碳化物（如二甲基氯硅烷）普遍采用了加压精馏工艺,以提高产量和节约能耗。还原沉积之硅棒直径每小时增长量由过去的0.35～0.5毫米增加到现在的1～2毫米。12对棒还原炉炉产量大约2000千克/炉，个别炉次甚至达3400千克/炉，24对棒还原炉炉产量个别炉次超过4000千克/炉，使我国西门子法装置系统综合电耗不断下降，2005年平均电耗300～400千瓦时/千克硅，降低到目前200千瓦时/千克硅，部分骨干企业能耗指标已接近国际先进水平160～180千瓦时/千克硅。目前还原电耗已降低到60千瓦时/千克硅。
其三是对引进的SIC14热氢化技术和设备作了进一步的改造，调整了工艺参数和改进设备。目前，热氢化单台炉SiC14的处理能力为750千克/小时，SiCl4的一次转化率≥20％，电耗指标55.23千瓦时/千克硅，系统连续稳定运行。在低温氢化方面，单台氢化炉的SiC14处理能力超过5000千瓦时/千克，SiC14的一次转化率≥20％，电耗指标≤10千瓦时/千克硅，系统连续稳定运行。同时，国内几家大的多晶硅厂普遍采用了还原尾气干法回收系统。SiC14、HCl的回收率在95％以上，有的企业还将改良西门子法多晶硅生产中的副产物作原料生产白炭黑，低沸物SiHCl3则用来生产有机硅单体。
发展我国自主知识产权的新型多晶硅制备技术装备，加快硅片加工相关工艺技术和生产设备的研究开发，打破国外制约，有效降低光伏系统设备和发电成本，这些方面需要加强。 |
（责任编辑：） |
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